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8月27日，中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)信息中心(CNNIC)在京發(fā)布第48次《中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)發(fā)展?fàn)顩r統(tǒng)計(jì)報(bào)告》。

報(bào)告顯示，在芯片技術(shù)領(lǐng)域，我國(guó)芯片封裝和測(cè)試行業(yè)已經(jīng)基本形成完整的、自主可控的產(chǎn)業(yè)鏈，這為我國(guó)全面推進(jìn)芯片制造裝備技術(shù)體系的發(fā)展打下良好的基礎(chǔ)。

在芯片制造方面，我國(guó)實(shí)現(xiàn)7nm芯片試產(chǎn)，取得新的發(fā)展。依托龐大的應(yīng)用市場(chǎng)，我國(guó)近年來(lái)在人工智能芯片、基于開(kāi)源指令集高端芯片、行業(yè)專用芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域同樣發(fā)展迅速。

報(bào)告稱，在芯片技術(shù)領(lǐng)域，2021年3月，由我國(guó)科研人員主導(dǎo)的國(guó)際團(tuán)隊(duì)宣布研發(fā)出一款新型可編程光量子計(jì)算芯片，能實(shí)現(xiàn)多粒子量子漫步的完全可編程動(dòng)態(tài)模擬;

4月國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)7nm芯片試產(chǎn)，6月中國(guó)科學(xué)院成功設(shè)計(jì)出14nm的“香山”芯片，8月中芯國(guó)際FinFET工藝已達(dá)每月1.5萬(wàn)片量產(chǎn)水平，高端芯片領(lǐng)域取得了階段性成果。

此外，量子技術(shù)領(lǐng)域，清華大學(xué)首次在實(shí)驗(yàn)中完成了兩個(gè)DLCZ量子中繼模塊之間的高效糾纏連接，是實(shí)現(xiàn)實(shí)用化的量子中繼器的一個(gè)關(guān)鍵步驟。

中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在光量子存儲(chǔ)領(lǐng)域取得了重要突破，將光存儲(chǔ)時(shí)間提升至1小時(shí)，大幅度刷新了2013年德國(guó)團(tuán)隊(duì)光存儲(chǔ)1分鐘的世界紀(jì)錄，向?qū)崿F(xiàn)量子U盤邁出重要一步，同時(shí)該團(tuán)隊(duì)首次實(shí)現(xiàn)多模式量子中繼，實(shí)現(xiàn)兩個(gè)吸收型量子存儲(chǔ)器之間的可預(yù)報(bào)量子糾纏，為量子中繼的發(fā)展研究開(kāi)創(chuàng)了可行的方向，為實(shí)用化高速量子網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建打下基礎(chǔ)。

發(fā)布《中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)發(fā)展?fàn)顩r統(tǒng)計(jì)報(bào)告》：實(shí)現(xiàn)7nm芯片試產(chǎn)

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