36氪首發｜引領碳化硅器件研發，清純半導體完成高瓴創投領投數億元融資
來源：36氪
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2021-12-31 08:44:00
2021年12月31日，國內碳化硅器件領域領先企業清純半導體宣布完成數億元Pre-A輪融資，由高瓴創投領投。據悉，資金將主要用于加速產品研發、建設器件測試、可靠性實驗室、以及支撐產品迅速上量滿足客戶需求。
清純半導體成立于2021年3月，是一家聚焦于碳化硅(SiC)功率芯片的高科技設計公司，專業從事高端SiC功率器件的研發與產業化。公司擁有國際領先水平的SiC器件設計及工藝團隊，核心團隊從事SiC工藝和器件20余年，研發和產業化多代SiC功率器件，并通過車規級測試。
高瓴創始合伙人李良表示：碳化硅功率器件是新能源時代的必然選擇，其耐高壓、耐高溫、低損耗、體積小等性能優勢完美匹配碳中和的發展需求，解決新能源行業痛點。我們認為，包括電動汽車、新能源發電、特高壓輸電、儲能等多個領域，都將迎來碳化硅功率器件需求的大爆發。而清純半導體團隊深耕該領域多年，擁有豐富的研發及量產經驗，這是他們在成立后短時間內就能完成多款性能卓越的產品研發的關鍵。我們非常看好團隊的發展潛力，將長期支持清純半導體的全方位發展。
清純半導體以技術引領，堅持產業鏈自主可控，依托國內SiC器件量產線研發自主工藝并開發高性能高可靠性碳化硅器件，推出的1200V碳化硅二極管通過AEC-Q101認證及新能源頭部企業測試，已實現規模銷售，目前可批量提供1200V平臺下各規格的SiC二極管產品。2022年第一季度可提供1200V平臺MOSFET產品，并迅速完成產品系列化，車規級SiC MOSFET在同步研發及可靠性驗證過程中。
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