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(資料圖)

世界先進公司宣布，其領(lǐng)先的八英寸 0.35 微米 650V 的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗證，正式進入量產(chǎn)，為特殊集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域首家量產(chǎn)此技術(shù)的公司。

2018 年，世界先進公司以 Qromis 基板技術(shù)（簡稱 QST TM）進行八寸 QST 基板的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程開發(fā)，于今年第一季開發(fā)完成，于第四季成功量產(chǎn)，世界先進公司同時已和整合元件制造（IDM）廠及 IC 設(shè)計公司展開合作。

QST 基板相較于以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹系數(shù)（CTE），在制程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利于實現(xiàn)量產(chǎn)。世界先進公司的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程能與公司既有的八寸矽晶圓機臺設(shè)備在開發(fā)與生產(chǎn)上相互配合使用，以達最佳生產(chǎn)效率及良率。根據(jù)客戶端的系統(tǒng)驗證結(jié)果，世界先進公司提供的氮化鎵晶圓于快充市場的應(yīng)用上，針對 65W 以上的快充產(chǎn)品，其系統(tǒng)效率已達世界領(lǐng)先的水準。此外，基于 QST 基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進公司提供的氮化鎵晶圓具有更優(yōu)良的散熱表現(xiàn)。

IT之家了解到，世界先進公司營運長尉濟時博士表示：“世界先進公司身為特殊積體電路制造服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，不斷精進制程技術(shù)，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務(wù)。我們的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程具備效能及可靠性優(yōu)勢，不僅提供客戶更優(yōu)化的積體電路設(shè)計選擇，亦協(xié)助提升客戶產(chǎn)品的競爭力。”

世界先進公司 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程除了 650V 的元件選擇之外，也提供內(nèi)建靜電保護元件（ESD），客戶得以更便利的進行設(shè)計選擇。此外，該制程除具備更優(yōu)異的可靠性與信賴性，針對更高電壓（超過 1000V）的擴充性，世界先進公司也已經(jīng)與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產(chǎn)品需求。

【環(huán)球速看料】65W 以上快充新突破，世界先進公司 0.35 微米 650V 氮化鎵制程量產(chǎn)

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